LED照明亮度和光效進階史

 2006年，CREE公司宣布推出一款新的冷白光LED一“XP. G"，發光效率和亮度都創下新的紀錄。在驅動電流為350 mA時，其光通量達139 lm，光效為1兌lm/W。亮度和光效分別比Cree較亮的XR . ELED提高37％和53%，被稱為“業界較亮且具有較高效率的照明級LED”。 

  2007年，日亞公司發布了新型LED。該實驗型產品在順向電流為350 mA的條件下光通量可達145】m，發光效率約為134 lm/w，芯片的大小為1m㎡，色溫為4 988K（在Ir=20 mA的情況下，發光效率更高達1 69 lm/W）。

  2007年，美國的CREE公司在SIC襯底上生長雙異質結，制作的器件同樣很出色。SiC襯底可以把Gabl基LED的金屬電極制造在襯底的底部，電流能夠通過低阻導電襯底的垂直流動，也為發展其他光電子器件奠定了基礎。

   同年，日亞化學發布了下一代高功率白光LED。350 mA電流輸入時光通量為145lm ,發光效率為134 lm/W，實現白色LED高效率化的原因是實現了所用的藍色LED芯片的高效率化。該藍色LED在350 mA驅動時的光功率為651mW，波長為444nm，外部量子效率為66.5%, WPE為60.3％。

  同年，日亞投產發光效率達150 lm/W的白色LED。該LED的效率代表當時業界的較高水平，順向電流為20 mA的品種為1001m/W。

 2009年初，CREE宣布實現了161 lm/W的光效，色溫為4 689K。該LED標準測試條件是在室溫條件，驅動電流為350 mA的情況下進行的。

  2009年底，CREE宣布其白光大功率LED光效已實現1 86 lm/W。CREE的測試結果表明，當相關色溫在4577K時，LED可產生1971m的光輸出。該測試是在室溫條件下，驅動電流為350 mA的標準測試環境下進行的。 

2009年初，根據日亞的實驗室結果，LED發光效率在20 mA的情況下提高到2491耐W。不過在   一般LED產業常用的350 mA電流情況下，發光效率卻降低到1451耐W，引發業界關注。

2011年，歐司朗研發工程師通過全面改進與LED制造相關的所有技術，在實驗室測試中新研發的白光LED刷新了該公司亮度和發光效率的紀錄。在工作電流為350 mA的標準條件下，LED亮度較高可以達到1 55 lm，而發光效率更是高達1 36 lm/w。白光LED原型采用的是1 m㎡芯片，所發射的光線色溫為5000K，色度坐標為0.349/0.393(cx/cy）。

  2011年，CREE公司宣布其白光LED光效突破231lm/W。該公司使用了一個單模塊組件，在色溫450OK和標準測試室溫度350mA下，測得白光LED光效達23llm/W。目前LED的各項指標仍在不斷發展中，隨著應用領域的拓寬，對LED燈珠的要求也逐漸多樣化；同時技術的進步不僅體現在參數指標上，在成本上也在逐年下降，到目前LED照明燈具已走進千家萬戶。

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